一出来就要被制裁。华为和深圳国资委合资的公司。
华为真是厉害。
昨日，SEMICON China 2025 在上海开幕。
在本次展会上，新凯来展区人头攒动。这是新凯来首次公开亮相，同时发布多款产品，覆盖半导体制造全流程。
具体来看部分装备
EPI (峨眉山)12 英寸单片减压外延生长设备，采用创新架构设计，全面覆盖逻辑及存储外延等应用场景，支持向未来先进节点演进。
RTP (三清山 1 号)12 英寸单片栅极氧化/氮化设备，覆盖氧化/氮化/退火等逻辑及存储应用场景，具备精准温度控制和等离子体控制能力，支撑先进工艺持续演进。
三清山 2 号覆盖尖峰退火/超快尖峰退火等逻辑及存储应用场景，具备大行程磁悬浮升降运动控制及背照式退火能力，支撑先进工艺持续演进。
三清山 3 号覆盖均温退火/尖峰退火等逻辑及存储应用场景，具备低热预算调控及超低温退火能力，支撑先进工艺持续演进。
武夷山 1 号MASTER 为电容耦合等离子体
(CCP) 干法刻烛设备，腔室采用全对称架构设计，整机可配置 6 个工艺腔 (PM)，满足先进节点各类精细介质刻蚀场景需求。
武夷山 3 号为电感耦合等离子体
(ICP) 干法刻蚀设备，全对称、高流导架构设计，整机可配置 6 个工艺腔 (PM)，满足先进节点各类精细硅及金属刻蚀场景需求。
武夷山 5 号为自由基干法刻蚀设备
，氧化硅及硅选择性刻蚀组合解决方案，单腔设计，整机可配置 6 个工艺腔 (PM)，满足先进节点高选择性刻蚀场景需求。
普陀山 1 号适用于逻辑、存储及先进封装等主流半导体金属平面膜应用场景，镀膜均匀性高，同时具备高产能与高稳定性。
普陀山 2 号适用于逻辑、存储等主流半导体中道金属接触层及硬掩膜等应用场景，颗粒缺陷低，同时具备高性能与高稳定性。
普陀山 3 号适用于逻辑、存储和先进封装等主流半导体后道金属互连场景，架构领先，填孔品质优异，支持向未来先进节点演进。
阿里山 1 号搭配五边形平台和 Twin 腔领先架构，覆盖先进逻辑/存储前中后段介质薄膜应用场景，满足图形化，超薄薄膜，超高深比 gap fill 需求，支持向未来先进节点演进。
阿里山 2 号具备单腔 4-Station 领先架构，覆盖先进逻辑刻蚀阻挡层薄膜应用场景，支持向未来先进节点演进。
阿里山 3 号可全面覆盖逻辑和存储金属原子层沉积
应用场景，具备创新架构和领先性能，多种工艺高度集成，金属栅极全场覆盖，支持向先进节点演进。
长白山 1 号具备单腔 4-Station 领先架构，全面覆盖逻辑及存储介质薄膜多种工艺，支持向未来先进节点演进。
长白山 3 号全面覆盖逻辑和存储金属化学气相沉积应用场景，具备创新架构和领先性能，多种工艺高度集成，支持向未来先进节点演进。
