是否可以这么理解

本帖于 2012-05-01 15:39:10 时间, 由普通用户 chicago80 编辑
回答: 关于CMOS的技术改进路径U962012-04-30 10:07:56

单纯增加像素尺寸来增加灵敏度是不行的,因为大解像度就等于大尺寸的芯片。

在不增加信号强度的情况下,减小噪音就是增加SNR,于是把分立电路SOC化,直接数字信号出来。

现在假设确定噪音已经Minimized, 那么如何增加灵敏度呢?如果单纯增加像素大小不可以的话??

另外除了传统的每个像素相当于一个小“电井”在光的作用下充电的原理,现在还有另外一支新的CMOS途径,仅需要极小的曝光时间就可以达到以前很长曝光时间的效果,这方面您是否可以给个通俗易懂的普及呢?

谢谢。

所有跟帖: 

这里讨论的基础是现有的光量子效率QE和SNR电路水平 -U96- 给 U96 发送悄悄话 U96 的博客首页 (630 bytes) () 04/30/2012 postreply 14:03:13

回复:这里讨论的基础是现有的光量子效率QE和SNR电路水平 -bigpaopao- 给 bigpaopao 发送悄悄话 bigpaopao 的博客首页 (311 bytes) () 04/30/2012 postreply 14:25:27

不懂。 -U96- 给 U96 发送悄悄话 U96 的博客首页 (115 bytes) () 04/30/2012 postreply 14:50:25

多年前早有了,拿来拍高速运动的东东。和摄影艺术无关。 -达眼- 给 达眼 发送悄悄话 达眼 的博客首页 (0 bytes) () 04/30/2012 postreply 14:54:01

曝光时间可以低至50ns。 -达眼- 给 达眼 发送悄悄话 达眼 的博客首页 (692 bytes) () 04/30/2012 postreply 15:03:00

QE60%,CCD加CMOS。。。 -达眼- 给 达眼 发送悄悄话 达眼 的博客首页 (851 bytes) () 04/30/2012 postreply 15:11:46

顶老弟热心技术细节! -enTiger744- 给 enTiger744 发送悄悄话 enTiger744 的博客首页 (0 bytes) () 05/01/2012 postreply 05:42:56

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