中国最新一代集成电路制造工艺研发取得突破性进展

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中国最新一代集成电路制造工艺研发取得突破性进展
发表时间：2012-12-21 14:41
来源：新华网

新华网北京１２月２１日电（记者吴晶晶）记者近日从中国科学院微电子研究所获悉，该所集成电路先导工艺研发中心在２２纳米技术代集成电路关键技术研发上取得突破性进展，掌握这种工艺将有利于提升中国自主生产制造更加质优价廉的集成电路产品的能力。

人们使用的电脑、手机等速度更快、耗电更省、成本更低，这都有赖于集成电路制造工艺的不断进步。

据介绍，２２纳米约相当于普通成年人头发丝直径的２３００分之一，采用　２２纳米集成电路技术可以在一根头发丝的横截面上集成大约１０００万个晶体管，从而使集成电路产品的功能更多样化，速度更快，成本更低。研究人员摒弃了传统的二氧化硅、多晶硅等材料，采用了高Ｋ材料、金属栅材料等新材料新工艺，研制出了性能良好的器件，技术水平达到国内领先、世界一流。

２２纳米技术代集成电路技术是全球正在研发的最新一代集成电路制造工艺。多年来，中国的集成电路制造工艺大多是在引进国外知识产权基础上进行产品工艺开发，在全球产业链最先进工艺的开发上缺少布局和话语权。

２００９年，中国在国家科技重大专项的支持下开始２２纳米技术代集成电路关键技术研发工作，经过３年多努力取得突破性进展。

研发人员介绍，如果中国掌握了拥有自主知识产权的２２纳米及以下集成电路技术，可以节省引进国外技术所需的巨大资金，从而自主生产制造质优价廉的电子产品尤其是集成电路产品。

研发过程中，中国科学院与北京大学、清华大学、复旦大学的联合项目组完成了１３６９项专利申请，其中包括４２４项国际专利申请。