中国研究人员宣布在下一代半导体技术方面取得突破,制造出全球最大的N极氮化镓(GaN)晶圆,尺寸为8英寸(20.3厘米)。这被视为半导体行业的一次重大突破,它可将生产成本削减40%,从而加速全球卫星通信和电动汽车(EV)技术的应用。GaN被誉为第三代化合物半导体的旗舰产品。由于其卓越的物理特性,它正在彻底改变高频、大功率应用,包括5G/6G网络、卫星通信、自动驾驶汽车和雷达系统。这种材料已经实现了手掌大小的100W快速充电器,将800V电动汽车平台的能量转换损失降低到5%以下,并将卫星通信带宽增加了两倍。行业分析师预测,一旦量产技术达到临界点,GaN可能引发这些领域的结构性变化。
晶圆重大突破
中国研究人员宣布在下一代半导体技术方面取得突破,制造出全球最大的N极氮化镓(GaN)晶圆,尺寸为8英寸(20.3厘米)。这被视为半导体行业的一次重大突破,它可将生产成本削减40%,从而加速全球卫星通信和电动汽车(EV)技术的应用。GaN被誉为第三代化合物半导体的旗舰产品。由于其卓越的物理特性,它正在彻底改变高频、大功率应用,包括5G/6G网络、卫星通信、自动驾驶汽车和雷达系统。这种材料已经实现了手掌大小的100W快速充电器,将800V电动汽车平台的能量转换损失降低到5%以下,并将卫星通信带宽增加了两倍。行业分析师预测,一旦量产技术达到临界点,GaN可能引发这些领域的结构性变化。