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南开大学教授:我国没那么厉害,与西方国家比差距很大,这是常识。有的群体盲目吹捧国产技术,误国害民
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散英魂寄千万雄鹰翱翔神州,
尽智魄载十亿慧芯呼唤华夏。
——《国务院给予江上舟同志挽联》
01
前沿导读
《科技日报》原总编辑、南开大学刘亚东教授在访谈中指出,我的国没有那么厉害,甚至于受制于人。改革开放以来,我们的科学技术取得了长足的进步,这些举世瞩目的成绩,当然值得肯定,但是我们更应该看到差距和不足。
中国的科学技术,与美国以及其他西方发达国家相比,具有很大的差距,这本来是常识,不是问题。
可是国内偏偏有一些人,说什么全面赶超、主体超越,说中国现在的经济实力、科技实力、综合国力都分别超过了美国成为世界第一。
如果只是为了鼓舞士气也罢,麻烦在于发出这些论调的人,往往忽悠了领导、忽悠了公众、忽悠了自己。
对中国建设成就夸大其词的这些舆论,无论是处于什么动机,都是有害无利的,误国害民。只有认识到差距,才有可能去弥补差距。
02
盲目吹捧国产技术
刘教授的话虽然针对性很强,但是说的句句在理。网络上面存在着许多盲目吹捧国产技术的群体,而且这些群体对于自己的吹捧言论,拿不出相应的信息来佐证自己的说法是否正确。
比如我国前段时间发布的氟化氩国产光刻机,许多人吹捧这款光刻机的水平高、打破了西方国家的技术封锁、可以制造8nm芯片。可实际上,我国的这款光刻机产品还远远达不到国际主流水平,甚至差距相当大。
193nm的波长、分辨率≤65nm、套刻精度≤8nm,这摆明了就是干式光刻机的技术设备。在此之上,下一代技术是浸润式,然后才是极紫外线。
套刻精度≤8nm,表示这款产品在晶圆上下两个关键层之间的对准精度误差最大是8nm,最极限的情况就是制造40nm的芯片。
我国的这台氟化氩光刻机,跟国际水平有两代的技术差距,更不要说什么制造8nm芯片了,这在物理层面就实现不了。
并且浸润式光刻机的技术,最早是在2003年被研发出来的,这也就是说明,我们国产的光刻机水平,相当于西方国家20年前的产品水平。
与我国这台光刻机相近的产品,是ASML的1460k光刻机。这台产品是在2015年投入市场进行使用的,只是ASML推出的一款非常成熟的低端产品。
虽然国产光刻机的技术比较落后,但是这款产品是我们采用了去美化工艺进行打造的产品,其中不含有来自于美国的技术和设备材料,美国无法直接进行技术制裁。
这是一个很明显的产业进步,解决了从零到一的问题,这是非常值得肯定的,但是千万不能在不了解产品的情况下,擅自吹捧国产光刻机的水平。
03
中国与西方国家的产业差距
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