在80、90年代,光刻机一直是国家五年计划的科技攻关项目。承担研制的有中科院、电子部和高等学校。
二十一世纪初,国内研制光刻机的总体设计力量集中整合到上海微电子公司。光刻机研制由国家中长期科技发展计划02专项支持。
按照目前的公开信息,国产光刻机水平在DUV(193nm波长)的28nm分辨率。
中国的精密仪器研制并不是依靠拆机测绘实现的。50年代中国的科学工作者就知道,拆机测绘并不能得到精密仪器设计中最重要的信息:误差控制与分配。光学镜头的折射率、膜系、面形都很难通过测绘获得精密的数据,更不要说工艺参数了。
中国的7nm芯片并不是用国产光刻机制造的,而是用进口光刻机通过多次曝光实现的。良率的低下,关键因素是多次曝光,而不是国产设备。