1968 到 1978 中国也不错。

1968年，国防科委在四川永川县，成立固体电路研究所（即永川半导体研究所，解放军1424研究所，现中电集团24所）。这是中国唯一的模拟集成电路研究所。同年上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物半导体）电路。拉开了中国发展MOS集成电路的序幕。1970年代永川半导体研究所、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后又研制成CMOS电路。至1990年底，上无十四厂累计产量为3340万块（后来合资成为上海贝岭半导体）。

　　1972年美国总统尼克松访华后，中国从欧美大量引进技术。由于集成电路产品利润丰厚，全国有四十多家集成电路厂建成投产。包括四机部下属的749厂（甘肃天水永红器材厂）、871厂（甘肃天水天光集成电路厂）、878厂（北京东光电工厂）、4433厂（贵州都匀风光电工厂）和4435厂（湖南长沙韶光电工厂）等。各省市另外投资建设了大批电子企业。

　　1973年8月26日，中国第一台每秒运算100万次的集成电路电子计算机-105机，由北京大学、北京有线电厂、燃料化学工业部，等单位协助研制成功。

　　1975年，北京大学物理系半导体研究小组，由王阳元等人，设计出我国第一批三种类型的（硅栅NMOS、硅栅PMOS、铝栅NMOS）1K DRAM动态随机存储器，它比美国英特尔公司研制的C1103要晚五年，但是比韩国、台湾要早四五年。那时韩国、台湾根本就没有电子工业科研基础。

　　也就是说，如果延续毛泽东发展路线和势头，中国在电脑和集成电路产业应该在不长的时间内就能与美国齐头并进，甚至赶超美国。

　　中国的电脑和芯片业是从80年代起被日韩台赶超的。

　　1973年，借着中美关系缓和及欧美石油危机的机会，中国希望从欧美国家，引进七条3英寸晶圆生产线，是当时世界最先进技术。这要比台湾早2年，比韩国早4年，那时候台湾与韩国还没有电子工业科研基础。1975年美国英特尔才开始建设世界第一座4英寸（100mm）晶圆厂。但是由于欧美技术封锁，中国国内政治变故，最终拖了七年，中国才得以引进三条已经落后的3英寸晶圆生产线，分别投资在北京国营东光电工厂（878厂），航天部陕西骊山771研究所（西安微电子研究所），和贵州都匀风光电工厂（4433厂）。其中北京878厂的3寸晶圆生产线，直至1980年才建成，已经比台湾晚了3年，比韩国晚2年。

　　1975年，就在台湾刚刚向美国购买3英寸晶圆厂时，中国大陆已经完成了DRAM核心技术的研发工作。北京大学物理系半导体教研室（成立于1956年，现北大微电子研究院），由王阳元领导的课题组，完成硅栅P沟道、铝栅N沟道和硅栅N沟道三种技术方案。在中科院北京109厂（现为中科院微电子研究所），采用硅栅N沟道技术，生产出中国第一块1K DRAM。这一成果尽管比美国、日本晚了四五年，但是比韩国、台湾要早四五年。直至1980年前后，韩国、台湾才在美国技术转移下，获得了DRAM技术突破，瞬间反超中国大陆。韩国直接从16K起步，台湾从64K起步。

　　1978年10月，中国科学院成立半导体研究所，由王守武领导，研制4K DRAM，次年在中科院109厂投入批量生产（比美国晚六年）。1981年中科院半导体所又研制成功16K DRAM（比韩国晚两年）。1982年，江苏无锡江南无线电器材厂（742厂），耗资6600万美元，从日本东芝引进3英寸晶圆生产线（5微米制程，月产能1万片），生产电视机集成电路。1985年，该厂制造出中国第一块64K DRAM（比韩国晚一年）。1993年，已经改组的无锡华晶电子公司（原无锡742厂），制造出中国第一块256K DRAM（比韩国晚七年）。