所谓半导体，是指导电性能介于金属和绝缘体之间离子型导电的物质。用它制成的半导体二极管、三极管和集成电路等，是许多现代新科技不可缺少的主要部件。世界第一块半导体材料锗单晶，早在1948年已被美国的物理学家研制出来了，而中国半导体材料科学发展史的第一页，则是由林兰英来书写的。
林兰英，福建莆田人，1940年毕业于福建协和大学数学系。在留校工作8年之后，1948年赴美国留学。在获得宾夕法尼亚大学数学学位之后，按照导师的意见，林兰英是要到芝加哥大学深造数学的，然而当她看到半导体科学正在兴起的时候，作出了留在宾大改读固体物理学的决定。1955年获得博士之后，林兰英即在纽约的索菲尼亚公司任高级工程师，当时她从事的就是后来终生为之献身的半导体材料研制工作。
在1956年的日内瓦会议上，中美达成协议：中方分批释放在朝鲜战场被俘的美军，而美方则允许部分留学生回中国。消息传开，1957年春，林兰英谢绝了公司的挽留并冲破美国有关部门的阻挠，她以母亲病重为由，毅然踏上了归国的路途。在简单的行李中，林兰英携带的药盒，里面放有两支各150克的锗单晶和硅单晶。这就是她献给祖国母亲最为珍贵的礼物。
过去在记叙上世纪50年代回国服务的华侨科学家的文章里，常常会出现“舍弃海外优厚生活”的字句。其实这并非人为拔高，而是真实情况的写照。林兰英刚回国时的月薪为207元人民币。这是专家、学者的待遇，当时来说算是比较高的。然而这大致只相当于她在美国月工资的三十分之一而已。
林兰英在中国科学院应用物理研究所和半导体研究所工作期间，尽管设备条件不尽人意，但她与同事们一道，很快取得了优异的成绩。回国半年之后，即拉制出中国第一根锗单晶。北京电子管厂用这些锗单晶，制造出中国第一次向市场销售的半导体收音机。
此后，林兰英还在半导体材料研制方面，创造过许多个中国第一。1961年，她主持设计的我国第一台开门式硅单晶炉研制成功，由于这种炉的技术先进，后来还远销多个国家；1962年春，她成功拉制出我国第一根无位错硅单晶，其质量达到世界先进水平；同年10月，研制出我国第一个砷化镓单晶样品，为1964年我国第一只砷化镓二极管激光器的问世准备了条件；1981年，合作完成4千位、16千位大规模集成电路——硅栅MOS随机存储器的研制，因而获得中国科学院重大科技成果一等奖；1987年，她在我国返回式卫星上成功进行生产我国第一根砷化镓晶体实验，被誉为“中国太空材料之母”。
2003年林兰英辞世，享年85岁。生前她被选为中国科学院院士，并任中国科协副主席等职。鉴于她对中国半导体材料研制所作出的贡献，1996年获何梁何利科技进步奖，1998年获霍英东成就奖。(潭 江)
