因为0.6nm精度，它瞄准了芯片研发最痛的初试环节。传统光刻调试需重制百万美元的掩膜版，而"羲之"可像编辑文档般修改电路。华为海思icon等企业迅速接洽印证了需求。
电子束光刻机目前不能完全代替传统光刻机，主要因其曝光速度慢、量产能力不足，而传统光刻机在大规模生产效率和技术成熟度上具有优势。电子束光刻机以其高分辨率和灵活作图能力，在特定领域如量子芯片制造中发挥补充作用。
●电子束光刻机的特点与局限：
○优势：
○高分辨率：能够实现极高的分辨率，适合制造对线条宽度要求苛刻的芯片，如在一些先进的量子芯片制造中具有独特优势。
○灵活作图：可直写无需掩模，省去了掩膜板，这不仅能降低成本，还适合高端芯片的小批量生产以及改进迭代，并且还能用于雕刻掩膜板。
○局限：
○曝光速度慢：相比传统光刻机，电子束光刻机曝光一片硅片需要较长时间，例如可能需要10分钟，而EUV光刻机曝光速度可达到每分钟超过2片硅片。这使得它在大规模量产方面效率较低。
○量产能力不足：难以满足像传统光刻机那样每小时处理上百片晶圆的大规模工业化生产需求。
●传统光刻机的优势：
○成熟的大规模生产能力：例如ASML的EUV光刻机单台售价高昂，但能实现每小时处理上百片晶圆的高效量产，满足大规模芯片制造的需求。
○技术成熟度高：在半导体制造领域经过长期发展，技术成熟，整个产业链围绕其建立，从光刻机到刻蚀机，从光刻胶到掩膜版等环节配合成熟。
芯片制造是一个复杂的系统工程，任何一个环节的短板都可能影响全局。电子束光刻机目前作为传统光刻机的补充，在特定领域发挥作用，短期内无法完全替代传统光刻机在大规模芯片生产中的主导地位。
