韩国icon媒体ChosunBiz从市场调研机构Omdia获取的数据显示,长江存储(YMTC)的NAND闪存年产量预计将从去年的121万片晶圆增至今年的151万片。这不仅创下该公司历史最高产能,更超越了第四大NAND供应商美光约130万片的年产量。在实现高堆叠层数3D NAND(200层以上)的良率突破后,YMTC有望进一步扩大其在中国本土市场的份额。
与之形成鲜明对比的是,三星电子icon和SK海力士为应对产品均价(ASP)下跌,正延续去年的减产策略。Omdia数据显示,全球头号NAND供应商三星电子今年产量预计从去年的507万片缩减至475万片,降幅约6%;SK海力士产量则从210万片降至198万片,下滑约5%。行业第二的铠侠(含西部数据icon)也加入减产行列,唯有YMTC逆势大幅增产。
熟悉中国市场的半导体业界人士透露:"中国政府正通过补贴或政策激励,推动采用国产存储芯片icon的企业提高半导体自给率。"他补充道:"正如长鑫存储icon(CXMT)在DRAM领域扩大份额一样,YMTC有望强化其在国内市场的主导地位。"
业界逐渐认识到中国NAND技术在性能和良率方面取得重大突破。据TechInsights披露,YMTC已开始量产第五代3D NAND——采用270层堆叠架构的1Tb三阶存储单元(TLC)产品,该机构通过对YMTC子公司致钛消费级SSD的拆解分析确认了这一进展。
YMTC在高堆叠层数NAND领域也在加速布局。在NAND技术中,堆叠层数越高通常意味着更强性能(如同摩天大楼增加楼层可容纳更多住户),目前量产最高层数为SK海力士的321层,三星电子286层次之,YMTC的270层紧随其后。TechInsights特别指出,YMTC芯片密度达到20.47Gb/?,展现出显著的技术进步。
尤为引人注目的是,YMTC在混合键合这一高难度工艺领域取得重大突破。该技术通过晶圆级接合提升系统/存储半导体性能,被视为下一代关键技术。凭借混合键合领域的进展,YMTC正对三星icon和SK海力士发起强力追击。
当前NAND市场已进入供应过剩阶段。集邦咨询icon(TrendForce)指出,供过于求与价格持续下跌正严重侵蚀厂商利润,并将今年NAND需求年增长率预期从30%大幅下调至10-15%。