长江存储取得重大突破

尽管受到美国制裁，YMTC V9 NAND芯片拥有目前商用产品中最高的垂直栅极密度，并成功实现了2yy层3D NAND结构。

 

YMTC保留了使用混合键合方法连接两个晶圆的技术，并利用该芯片将 TLC NAND 位密度提高到 20 Gb/mm² 以上。其与竞争对手三星、SK海力士、美光的总门数和3D NAND密度的比较，突显了重大的技术进步。，标志着中国半导体行业取得了重大进步。