1. 摄像头模组， 这是索尼一家独大，全球手机的几乎唯一供货商。 相机在手机上的价值无需赘言，是人尽知。
2. 内存，华为这次用了韩国SK的LPDDR5， SK说没有为华为提供这产品， 华为的进货渠道乃秘密。 昨天我说LPDDR5 是美光，三星和SK三家掌控市场， 有小镇青年说中国有个芯动科技已经量产LPDDR5, 速度超过LPDDR5 17%, 老夫一查， 芯动科技是生产内存接口的，具体点就是这个东西， 呵呵，小镇青年的认知能力真欢乐。
麒麟芯片，内存， 和相机模组，这手机三大件， 芯片上很难提升，LPDDR５内存将很难获得， 如果加上索尼相机模组，那华为彻底凉。
华为这次在卫星通讯上搞了噱头， 可以说挺聪明， 但没屌用， 当然很多人会愿意掏钱买这个没用的功能，万一哪天一觉醒来掉到罗布泊呢， 能救命， 哈哈哈。 据说华为已经把手机基站修到喜马拉雅了， 在墙内还有多少没有手机信号区域？ 用得上华为卫星？
参考文献：多重曝光的极限
https://wallstreetcn.com/articles/3696814
多重曝光工艺
什么叫多重曝光工艺？为什么会有这样的工艺出现？
早些年ASML的193nm 浸没式光刻机，极限情况下能实现大约22nm左右工艺的单次曝光。（反复提醒，实际gate length 并不是22nm）
那么在EUV没有出现之前，是怎么实现22nm以下节点的比如14nm，7nm，之类的呢？
于是当年intel投入重金搞出了多重曝光工艺这样的神技。
多曝技术有好几种，主要是LELE，LFLE，以及SADP/SAQP三种。
LELE，其实是Lith-Etch-Lith-Etch的缩写，意思是光刻-刻蚀-光刻-刻蚀。
它是把原来一层光刻图形被拆分到两个或多个掩膜上，实现了图像密度的叠加。
这样就实现了比光刻机极限分辨率更小的图形。
但是请注意，这个提升的更小特征尺寸非常有限，不可能出现什么45nm一步跨到22，甚至14nm的情况。
同理LFLF，它是Ltiho-Freeze-Ltiho-Etch， 光刻-固化-光刻-刻蚀。
它是LELE的工艺的一个变种版本，本质差不多，但是可以省一道刻蚀的工序，降低一些制造成本和风险。
SADP叫SELF ALIGNED DOUBLE PATTERNING 自对准双重图形化，英特尔曾经还搞出过SAQP四重曝光技术，原理差不多。
SADP是一种取代传统LELE的双重图形化工艺，通过侧墙自对准工艺的双重图形化方案，即通过一次光刻和刻蚀工艺形成轴心图形，然后在侧壁通过原子层淀积和刻蚀工艺形成侧墙图形，去除轴心层（即牺牲层），形成了pitch减半的侧墙硬掩模图形。
https://zhuanlan.zhihu.com/p/387004183知乎上有更全面的解释。
英特尔曾经在10nm之后的7nm，搞出了SAQP，四重曝光，并且沉迷这个技术。
它通过DUV深紫外线技术加上SAQP四重曝光技术对M0/M1连续进行多次的曝光处理，最终让金属的中心距从双重曝光(SADP)的40nm提升到20nm。
但是实际上效果不大，工艺太复杂，良率不高，导致产能上不去，成本下不来，不如台积，三星他们在7nm直接导入EUV来的这么痛快。
不同曝光技术的区别，分别是LELE，LFLE，SADP，SAQP
讲到这里给大家再总结一下，不管那种曝光技术，都是为了在有限的光刻机分辨率下实现更小的特征尺寸，其中SAQP效果最好，SADP其次，LELE和LFLE差不多。
但是无论如何都不可能实现，用28nm光刻机做出7nm的工艺。
这就像一个高考模拟考只有三本水平的学生，可以通过靠前突击，努力学习，实现三本到二本，甚至一本的跨越，但是你说他一定能考上清华北大？实在是太难了，无他，物理极限摆着。
