晶片製造九大核心設備1、清洗機(日本和韓國5nm,中國14nm)2、氧化擴散機(日本5nm,中國14nm)3、薄膜沈積設備(美國和日本5nm,中國28nm)4、光刻機(荷蘭3nm,中國28nm )5、塗膠顯影機(日本5nm,中國28nm)6、刻蝕機(美國5nm,中國3nm)7、離子註入機(美國5nm,中國22nm)8、CMP拋光設備(美國5nm,中國28nm)9檢測設備(美國5nm,中國28nm)