从技术层面来看，ASML高端EUV光刻机非常难以颠覆与超越......

从技术层面来看，ASML高端EUV光刻机非常难以颠覆与超越。首先EUV制造所需的体系小，功率高且稳定极紫外线光源，这点美国Cymer公司一直掌握着成熟技术，其他国家都是向其采购的。第二反射镜面，只有用高精度和高光滑度的镜片才能聚焦和校准光线，从而光线才能精确无误的照射在硅片上来画出微小图案。目前能够达到光刻机要求的镜片标准的厂商也在德国。

 

另外像是芯片上用的复合材料，光刻胶，高纯度化学品也多数都是日本专利。

中国氟化氩光刻机使用波长为193纳米的光源，而荷兰ASML的EUV光刻机使用波长为13.5纳米的光源，比DUV的光源要短14倍以上，其提供者就是美国Cymer公司，这是EUV光刻机的关键科技。另外，EUV光刻机镜头精度要比DUV高很多。据说把这个镜头总面积放大到德国一样大小，误差也不超过过1毫米。

而另一个方面是，美荷可能还在等华为Mate70的发布，华为的麒麟芯片进展与工艺制程或许能更好的看清国产光刻机到底走到哪一步了。美荷也清楚，中国历来都奉行应用一批，研发一批，储备一批的战略思想。官宣的，肯定不是最先进的......