中国存储芯片技术震惊韩国业界，长江存储、长鑫存储新品 NAND 逼近三星海力士

NAND 闪存芯片icon和公寓楼的共同点是什么 ？答案是层数竞争白热化。  

 

 

 

2013 年，三星电子icon在世界上首次推出 24 层 NAND，点燃了"堆叠"层数竞争。为了克服微细工程的局限性而采用的分层技术能够确保在同一面积上获得更多的数据存储空间。目前三星电子量产的最高层 NAND 为 286 层。  

 

 

 

但最近中国的长江存储（YMTC）推出了 270 级 NAND 新产品的消息传开后，半导体行业icon出现了骚动。有评价认为"中国在芯片领域的追击已兵临城下"。 

 

 

 

本月 10 日，全球半导体分析企业 TechInsights 评价称，中国长江存储和长鑫存储（CXMT）掌握了与三星电子、SK 海力士类似的 NAND 堆叠技术。这是 TechInsights 以"逆向工程"（通过产品分解等进行技术分析）的方式对中国企业的最新存储芯片进行分析的结果。   

 

 

 

长江存储的子公司"致态"生产了采用第五代 3D NAND 的消费级固态硬盘icon（SSD），采用 1TB 三电平电池（TLC）。虽然为 270 段，低于目前最高层量产产品 321 段（SK 海力士），但 NAND 采用了连接两个半导体的混合胶接方式，这是内存排名前三的公司不太尝试的方式。TechInsights 分析称，"长江存储掌握了通过混合胶接克服美国icon出口制裁的方法"。有评价认为，在 NAND 制造中，蚀刻设备等很重要，但目前很难购买美国 Ram Research 等生产的设备的长江存储找到了迂回路线。 

 

 

 

CXMT 利用 16 纳米（纳米 ·1 纳米 = 10 亿分之一米）工艺量产了 DDR5 16Gb DRAM。三星电子和 SK 海力士目前主要主导 12 · 14 nm DDR5 市场，TechInsights 评价道，"CXMT 的 16nm DDR5 新产品的性能比 SK 海力士的 12nm 产品要好"。

 

 

 

专家们对中国的这种技术追击做出评价认为"不考虑经济性的盲目挑战"、 "一鼓作气地追赶技术时差的追赶速度""“在制裁中另辟蹊径的创意性"等是三大核心竞争力。首尔大学icon名誉教授金亨俊icon（新一代智能半导体事业团团长）表示，"如果将用于高带宽存储器（HBM）4 的混合胶接技术应用到 NAND 上，经济性将大幅下降，但中国企业不管花多少钱，都会先制造，再追赶"。据 Gartnericon 统计，去年全球半导体企业中销售额增长率排名第一的是长江存储（145.2%）。另外，长江存储正在展开速度战，从 128 级跃升至 270 级 NAND 的时间（3 年零 5 个月）比三星电子量产 128 级至 286 级所需的时间（4 年零 7 个月）短。  

 

 

 

值得一提的是，首尔大学客座教授黄哲盛就 CXMT的DRAM 性能评价道，"中国的 16nm 性能比韩国的 12nm 要好，这可能是因为使用了像混合胶一样完全意想不到的方式"，"如果这不是在说谎，就是像谎言一样惊人的壮举"。  

 

 

 

最近，由于中国的低价空袭，存储器市场仿佛似"懦夫博弈"。上月 DRAM 价格（以 DDR4 8Gb 为准）为 1.35 美元，比两年前下降了 60%，同期通用 NAND 价格也下降了 47%。韩国半导体业界的战略是以尖端工程为中心，扩大技术差距。 SK 海力士在今年第四季度的业绩电话会议上表示，"（与中国产品）质量和性能存在明显差异。将保持技术差距"。三星电子也在电话会议上表示，"将致力于高端（尖端高级）市场"。