中央停止投资——全国疯狂引进落后淘汰技术
1982年,国务圆组建电子工业部,由张挺任部长,主管全国电子工业。该部门继承了毛时代组建的2500多家科研院所和电子工厂,下属职工总数达100多万人,主要研制通信、雷达、电视、计算机、无线电、元器件等设备。产业结构完备程度,仅有美国、苏联可以相比。光是电子工业部下辖的专业电子研究所就有上百家。然而在80年代初,由于中央政府全面停止对电子工业投资,各电子企业要自己去市场找资源。于是中国电子工业的技术升级全面停止,与美国、日本的技术差距迅速拉大。甚至被80年代加大电子投资的韩国、台湾彻底甩开。
1982年,中国国务圆成立了“电子计算机和大型集成电路领导小组办公室(简称大办)”,由副中里万里出任主任,管理包括半导体在内的电子工业。1984年该机构又更名为“国务圆电子振兴领导小组”,由副中里李月月任组长。至1988年该机构取消,两任国家当家人出面,最后结果怎么样?
1984年至1990年,中国各地方政府、国有企业和大学,纷纷从国外引进淘汰的落后晶圆生产线,前后总计达到33条,按照每座300-600万美元估算,总计花费1.5亿美元左右。这33条晶圆生产线,多数根本没有商业价值。造成这一乱象的根本原因,是电子工业部,将绝大多数国有电子企业的管理权,甩给给省市地方政府,又缺乏制定执行产业规划的政策权力。出现了全国疯狂引进落后技术的奇怪现象。还有一个原因是80年代开始,国有企业贪污腐败加剧,借着进口项目的名义,领导干部可以名正言顺地获得出国考察机会。
江苏省无锡市,华晶电子,中国最早启动的6英寸晶圆厂,花了八年时间才建成。建成就已经落后淘汰。
九0八工程——盖一座6寸晶圆工厂用时八年
为了治理散乱差问题,1986年电子工业部在厦门,举办集成电路战略研讨会,提出“531战略”。即“普及5微米技术、研发3微米技术,攻关1微米技术”,并落实南北两个微电子基地。南方集中在江浙沪,北方集中在北京。1988年至1995年,在政策扶持下,中国诞生了五家具有规模的国有半导体企业:江苏无锡华晶电子(原无锡742厂与永川半导体研究所合并)、浙江绍兴华越微电子(1988年设立中国第一座4英寸晶圆厂)、上海贝岭微电子、上海飞利浦半导体(1991年设中国第一座5英寸晶圆厂)、和北京首钢NEC(1995年设中国第一座6英寸晶圆厂)。
1990年8月,国务院决定在八五计划(1990-1995),半导体技术达到1微米制程,决定启动“九0八工程”,总投资20亿元。其中15亿元用在无锡华晶电子,建设月产能1.2万片的6英寸晶圆厂,由建设银行贷款。还有5亿元投给9家集成电路企业设立设计中心。(1993年华晶开发出256K DRAM,比韩国晚7年)
但实际结果是,由于官僚体系拖延,九0八工程光是经费审批就花了两年时间。然后从美国AT&T(朗讯)引进0.9微米制程,又花了三年时间。前后拖延五年时间,建厂再花三年,导致1998年无锡华晶电子投产即落后(月产能仅6000片),华晶还要为此承担沉重的利息支出压力。为了解决华晶的困境,电子工业部借研讨会的机会,请台湾茂矽电子老板陈正宇,接手管理华晶的六寸晶圆厂。1998年2月,由台湾人陈正宇、张汝京和李乃义在香港注册上华公司,来租赁无锡华晶的6寸厂,进行晶圆代工业务。1999年8月,双方合资成立无锡华晶上华半导体公司,上华控股51%。新公司迅速扭亏为盈,成为中国大陆第一家“纯晶圆代工”企业,月产量达到1万片。2001年月产能达到2万月。2003年上华筹备建设一座8英寸晶圆厂,为了节省投资希望购买二手设备。不过国际上二手8寸晶圆厂很少。直至2007年8月,无锡海力士的8英寸晶圆厂,因DRAM价格暴跌而停产。上华迅速出手,以3.8亿美元买下了该厂设备,2009年投产。
与无锡华晶形成鲜明对比的是,1990年新加坡政府投资特许半导体,只用2年建成,第三年投产,到1998年收回全部投资。而无锡华晶却被甩给了台湾人经营。
1990年,中国进口一台美国IBM 286电脑(IBMPS1),价格是3.5万元人民币。当时中国普通工人的月工资只有300元左右。由于电子产品的暴利,引发广东、浙江等沿海省份,大规模走私进口电子器件,彻底冲垮中国电子工业。
中国电子产业落后——三十年来以市场换技术
在1996年,国际主流生产线是8英寸晶圆厂,而中国最先进的是首钢NEC的6英寸晶圆厂,比国外落后八年。造成这一现象,有多方面原因。一是投资薄弱,1980-1996年间,中国在半导体产业,累计投资仅有3亿多美元,其中多数胡乱花掉,没有形成技术能力。国有企业缺乏投资,根本不可能追赶国外先进技术。作为对比,日本光是1996年对半导体的投资就接近40亿美元。
二是电子工业部作为行业主管部门,却没有制定执行产业政策的权力,要通过国家计委来审批项目。九0八工程就是如此。而官僚体系在决策时,盲目追求技术先进,根本不考虑市场因素。以华晶电子为例,决策者拒绝在华晶内部设立IC产品设计研究所,这就一下子丢掉了大批缺乏设计能力的客户。后来电子工业部部长胡启立,在接受采访时认为:那是因为决策者不了解半导体市场运作规律。
三是政治因素,自1949年新中国成立起,中国就被西方国家主导的“巴黎统筹委员会(简称巴统)”,进行严格的技术封锁。1994年巴统由于苏联解体而宣告解散,但是西方对于中国的技术封锁并未停止。1995年9月,包括原巴统17个成员国在内的28个国家,在荷兰瓦森纳召开会议,决定以控制武器技术扩散的名义,建立技术出口控制机制。1996年7月,西方33个国家正式签订《瓦森纳协定》,民用技术控制清单包括:电子器件、计算机、传感器等九大类。军用技术控制清单包括22大类。中国同样处于被禁运国家之列。
在电子领域,韩国、台湾可以轻轻松松从欧美进口先进电子设备,而中国大陆只能购买落后5年以上的淘汰技术。而韩国、台湾依靠电子产业优势,同样对中国大陆进行技术封锁。如台湾官方禁止台积电等企业,到中国大陆投资建设先进制程晶圆厂,禁止台湾液晶面板企业到大陆设厂。即使设厂也只能投资落后台湾一代的生产线。台湾厂商通过合同约束,严厉禁止台湾技术人员,跳槽到中国大陆相关企业工作。
在各方面严防死守下,中国企业要想获得先进技术,就变得非常困难。而外国企业则凭借掌握的先进技术,在中国市场予取予求,占尽便宜。所谓的“以市场换技术”,成为改开三十年来,中国最大的笑话——中国为此付出了,至少损失1万亿美元的巨额产业代价。
1990年,中国大幅降低关税、取消计算机产品进出口批文、开放了国内电脑市场。顷刻间,国外的286、386电脑如潮水般涌入,长城、浪潮、联想等国内公司溃不成军。1991年由美国英特尔和AMD,掀起的“黑色降价风暴”,更是让中国计算机产业雪上加霜。由于绝大多数整机企业,积压了高价买进的芯片,从而背上巨额亏损的包袱,一家家电脑整机厂商,前赴后继般悲壮地倒在了血雨腥风之中。长城、浪潮和联想也都元气大伤。在微电子集成电路方面,国内企业继80年代中后期陆续亏损后,90年代纷纷倒闭,国内集成电路工业,逐步变为三资企业为主的局面。据专家估计, 到1990年代末,中国微电子科技水平,与国外的差距至少是10年。
八英寸晶圆厂——摩托罗拉在天津拖了六年
1995年12月,为落实“九五计划”中,半导体生产工艺达到0.5微米的目标,国务院与上海市政府批准了“九0九工程”。包括建设晶圆厂和建立设计公司两大任务。其中上海市政府出资40亿元(5亿美元),成立华虹微电子。日本NEC出资2亿美元,双方成立华虹NEC,合计投资12亿美元,在浦东建设8英寸晶圆厂。由NEC提供0.35微米技术,生产当时主流的64M DRAM内存芯片。由于决策执行迅速,华虹NEC在1999年9月投产,次年实现盈利。2000年起,中国政府更换第二代IC式身份证和社保卡,华虹NEC成为主要制造商,拿到大量订单。
1996年,美国摩托罗拉提出,准备在天津投资122亿元人民币,建设一座当时中国最先进的8英寸晶圆厂(MOS-17)。凭借这个条件,摩托罗拉成为2001年前,唯一获得中国政府特许,独资设立手机厂的企业,而且是唯一拿到GSM和CDMA,两张手机生产许可证,及内销许可证的外国企业。摩托罗拉因此在中国大赚特赚,占领了超过半数手机市场,光是1999年销售额就达到260亿元。但是直到2000年,天津的8寸厂才开始动工,2002年才正式量产(2004年被中芯国际收购)。此时国际上已经纷纷开始建设12英寸晶圆厂。
1998年,电子工业部和邮电部合并,组建信息产业部,邀请海外华人专家,参与讨论制定产业指导政策。台湾世大半导体老板张汝京赴大陆考察。电子工业部曾考虑聘请张汝京出任总经理,结果未如愿。到1999年底,世大半导体被台积电并购后,张汝京便决定投资大陆。2000年6月,在上海市政府支持下,张汝京创办中芯国际,一期投资14.76亿美元,其中上海国有银行提供了12亿美元贷款。2001年9月,中芯国际在上海张江,建成第一座8英寸晶圆厂,采用0.25微米工艺(设计月产能5万片)。
十二寸晶圆厂——中芯国际专做接盘侠
2000年,北京市政府,计划由首钢集团出面,与美国AOS(万代半导体),合资组建华夏半导体,投入13.35亿美元,建设8英寸晶圆厂。其中北京市愿意提供6.2亿美元贷款。然而随着2001年全球半导体市场跌入低谷,该项目流产。此后,中芯国际提出在北京建设中国第一座12英寸晶圆厂(Fab4),获得北京市政府大力支持,2004年建成(计划月产能4.5万片),采用100纳米工艺,为英飞凌、尔必达代工生产DRAM。该厂总投资12.5亿美元,北京市最初承诺提供6亿美元贷款,不过直到2005年6月,才将贷款拨给中芯国际,导致Fab4直至2006年才大规模量产。
2003年,江苏无锡市政府,获悉韩国海力士在中国各地挑选投资地点,便成立了812项目,全力争取海力士投资。无锡开出了比上海和苏州,更大的资金优惠条件。最终韩国海力士与意法半导体(ST)合资,在无锡投资20亿美元,建设一座8寸晶圆厂,和一座12寸晶圆厂。其中无锡市政府总计为该项目,提供了10亿美元贷款。在土地方面,由无锡市政府出资3亿美元,建设两座占地54万平方米,和面积32万平方米的晶圆厂房,租赁给韩国海力士及意法半导体使用。
2006年,湖北省与武汉市政府投资100亿元,组建武汉新芯,建设12英寸晶圆厂。该项目是湖北省历史上,单项投资金额最大的项目,设计月产能6-7万片。由于湖北省缺乏相关人才和技术,从项目之初,武汉新芯和中芯国际就签订了托管协议,由中芯国际提供技术支援。2008年武汉新芯投产后,由于产能开工不足,长年处于亏损状态。2010年,美国镁光和台湾台积电,都对武汉新芯虎视眈眈,希望并购。由于中央政府担心国际寡头,危及中国半导体产业安全,因此支持中芯国际入主武汉新芯。2010年10月,双方签订合作协议。但是到2013年,两企业开始分道扬镳。
2014年2月,武汉新芯和美国飞索(Spansion),签定技术合作协议,由飞索提供技术,在武汉新芯共同研发新型的3D NAND Flash。美国飞索是1993年日本富士通和美国AMD,共同出资设立的NOR Flash研制公司。2009年飞索因业绩连续滑坡倒产,被赛普拉斯(Cypress)收购成为其全资子公司。虽然,飞索从来就没有生产过NAND芯片,但是,包括三星在内,现在所有的3D NAND Flash技术,其基本原理是飞索最早开发的MirrorBit技术。不过在量产技术方面,飞索远远落后于韩国三星。
陕西西安,韩国三星电子西安厂区,由西安市政府免费提供土地,并花费数十亿元建设厂房,再租赁给韩国三星。西安市在十年内,收不到一分钱税费。
韩国三星落户西安——西安市政府提供300亿元巨额补贴
2011年,韩国三星与日本东芝在NAND闪存领域展开争夺。当时三星在韩国华城(Fab12、Fab16)、器兴(Fab14)以及美国得州奥斯汀,共有4座NAND闪存12英寸晶圆厂,年产能450万片晶圆。为了拉开与东芝的差距,三星决定在中国选址建立NAND闪存晶圆厂,以抢占中国市场。为此,三星对北京、重庆、无锡、苏州、西安等城市进行考察。中国各地政府纷纷开出巨额优惠条件。
2011年,韩国三星电子的半导体销售额达到285.63亿美元,仅在中国市场销售额就高达95亿美元。要知道中国全国的集成电路销售额也仅有1572亿元(241亿美元)。因此,三星在谈判中具有强势地位,提出了众多苛刻条件。最初作为热门选手的北京、重庆两个直辖市,最终都主动放弃了这个项目。最后是不被人看好的西安,在付出巨大代价后,拿下了这个项目。
2011年底,陕西省×省*长*赵正*永亲赴韩国,与三星洽谈。2011年,西安市GDP为3864亿元,仅排在全国第30名,还不如南通、大庆、泉州等三线城市。因此西安市急于拿下这个项目。2012年1月,韩国政府审批通过三星在华设厂项目。2012年4月2日,韩国三星电子宣布在中国西安,建设闪存芯片厂。项目一期投资将达70亿美元,若三期投资顺利完成,总投资约为300亿美元。
西安市为此项目提供了巨额补贴,包括:一、韩国三星需要的130万平方米厂房,由西安市建设,并免费提供1500亩土地。二、西安市每年向三星补贴水、电、绿化、物流费用5亿元。三、西安市财政对投资额进行30%的补贴。四、西安市对所得税征收,进行前十年全免,后十年半额征收。同时,西安市还承诺,将为项目修建高速公路和地铁等交通基础设施。总的补贴金额保守估计在300亿元以上。
面对这种狮子大开口的苛刻索价,西安市竟然全盘接受。三星西安项目,选址在西安市安区五星和兴隆街道,占地9.4平方公里,15个村庄3000多户农民被迫拆迁改造,引发群众抗议。为了调解征地拆迁矛盾,西安市干脆派了一批干部吃住在农村,专门解决拆迁问题。
西安市这种只要面子不要里子的招商方式,实际是用中国土地、中国资金、中国工人,来补贴服务外国企业,帮助它们占领中国市场,压制中国本土企业发展。这在其他国家是极其滑稽的行为。也无怪乎北京、重庆不要这种项目。
改开三十年来,看看中国尽数破产倒闭的本土电子企业,再看看各省政府,花费巨额资金,补贴扶植的无锡海力士、西安三星、大连英特尔、南京台积电,不禁令人感叹。
你们发展电子产业,到底是为了谁?世界上有哪个国家的电子工业,是靠引进外资壮大的?
1971年,上海复旦大学自主研制的719计算机,由王世业、顾芝祥、陈志刚等人参与研制。1975年复旦大学研制FD-753计算机。经过反复研究讨论,结合那时美国IBM360/370、欧洲TSS、日本FACOM等计算机系统和我国DJS-260、北大150等计算机系统,最终确定753计算机系统的主要研制目标是:具有处理速度浮点运算200万次以上的主机系统;实现分时计算机系统;多进程分层管理的微内核操作系统。
1979年上海元件五厂和上海无线电十四厂,联合仿制(逆向工程)成功8080八位微处理器(编号5G8080)。8080为美国英特尔公司在1974年推出的第二款CPU处理器,集成6000只晶体管,每秒运算29万次。自1975年第一台个人电脑诞生以后,8080芯片帮助英特尔在几年后占据了电脑芯片的霸主地位。德国西门子仿制出8080芯片是在1980年10月(Siemens SAB 8080A-C),比中国还晚一年。日本也仿制过8080芯片。
下列研究所清单,回答了:为什么中国以落后的民用电子产业,却能够研制歼-20战斗机、月球探测器、相控阵雷达、航空母舰等尖端军工产品。他们全部是新中国前三十年,亿万人艰苦奋斗留下的遗产。
中国电子科技集团公司第二研究所 (成立于1962年) 太原电子专用设备研究所
中国电子科技集团公司第三研究所 (成立于1960年) 北京电视声电研究所
中国电子科技集团公司第七研究所 (成立于1959年) 广州通信研究所
中国电子科技集团公司第八研究所 (成立于1970年) 淮南光纤研究所
中国电子科技集团公司第九研究所 (成立于1967年) 西南应用磁学研究所
中国电子科技集团公司第十研究所 (成立于1955年) 中国第一个综合性电子技术研究所
中国电子科技集团公司第十二研究所(成立于1957年)北京真空电子研究所
中国电子科技集团公司第十三研究所(成立于1956年)石家庄半导体研究所
中国电子科技集团公司第十四研究所(成立于1949年)南京电子研究所(亚洲最大的雷达研究所)
中国电子科技集团公司第十五研究所(成立于1958年)华北计算技术研究所
中国电子科技集团公司第十六研究所(成立于1966年)合肥低温电子研究所
中国电子科技集团公司第十八研究所(成立于1958年)天津电源研究所
中国电子科技集团公司第二十研究所(成立于1961年)导航测控
中国电子科技集团公司第二十一研究所(成立于1963年)上海微电机研究所
中国电子科技集团公司第二十二研究所(成立于1963年)中国电波传播研究所
中国电子科技集团公司第二十三研究所(成立于1963年)上海传输线研究所
中国电子科技集团公司第二十四研究所(成立于1968年)四川固体电路研究所
中国电子科技集团公司第二十六研究所(成立于1970年)重庆声光技术研究所
中国电子科技集团公司第二十八研究所(成立于1964年)南京电子工程研究所
中国电子科技集团公司第二十九研究所(成立于1965年)西南电子设备研究所
中国电子科技集团公司第三十研究所 (成立于1965年)保密通信和信息安全研究所
中国电子科技集团公司第三十二研究所(成立于1958年)上海计算机技术研究所
中国电子科技集团公司第三十三研究所(成立于1958年)华北电磁防护技术研究所
中国电子科技集团公司第三十四研究所(成立于1971年)桂林激光通信研究所
中国电子科技集团公司第三十六研究所(成立于1978年)嘉兴特种通信技术研究所
中国电子科技集团公司第三十八研究所(成立于1965年)华东电子工程研究所
中国电子科技集团公司第三十九研究所(成立于1968年)精密天线系统专业化研究所
中国电子科技集团公司第四十研究所 (成立于1984年)接插件、继电器专业研究所
中国电子科技集团公司第四十一研究所(成立于1968年)华东电子测量仪器研究所
中国电子科技集团公司第四十三研究所(成立于1968年)华东微电子研究所
中国电子科技集团公司第四十四研究所(成立于1969年)重庆光电技术研究所
中国电子科技集团公司第四十五研究所(成立于1958年)半导体专用设备研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所(成立于1958年)天津激光技术研究所
中国电子科技集团公司第四十七研究所(成立于1958年)东北微电子研究所
中国电子科技集团公司第四十八研究所(成立于1964年)长沙光电设备研究所
中国电子科技集团公司第四十九研究所(成立于1976年)哈尔滨传感器研究所
中国电子科技集团公司第五十研究所 (成立于1977年)上海电子通讯研究所
中国电子科技集团公司第五十一研究所(成立于1978年)上海微波设备研究所
中国电子科技集团公司第五十二研究所(成立于1962年)计算机外部设备研究所
中国电子科技集团公司第五十四研究所(成立于1952年)中国第一个电信技术研究所
中国电子科技集团公司第五十五研究所(成立于1958年)南京电子器件研究所
中国电子科技集团公司第五十八研究所(成立于1985年)无锡微电子科研中心