回答你一下。

 

 

1，光刻所用他们的光刻机作的掩模，已经是用光刻机画出来的纳米级别的电路设计图了。换句话说，已经是传统光刻机经过镜像压缩，透射到光刻胶之后的状态了。

2，与上述问题一样。

3，有了纳米级别的掩模，比如1纳米的电子图的模板，就直接可以用光源，照射纳米级别的电子图的母盘，直接投射到光刻胶，（绕过“镜像系统，深紫外线”等研所阶段），然后直接进入“化学光刻”阶段。

 

 

 

ASML的光刻机其实就做了一个事，把掩模，模板，或者电路图，通过镜像系统，变成纳米级别的的电路板，然后化学光刻。

 

大陆的激光光刻机，可以用软件程序的方式，把电路图的数字图，一笔一划地直接“刻”在光刻胶上（已经是纳米级别的了），然后“化学光刻”，当然需要电路图，多次”画画“，多次“化学光刻”。

但是，这样做，效率太低。虽然说软件可以每秒可以运行上亿行指令，但是激光针头，或者光刻胶的托盘的转动，毕竟还是机械运动，速度快不到哪里去。每一个芯片，都需要这样一笔一划地“画”，效率太低。

 

所以，可以用激光光刻机，光刻出电路图的模板，掩模，母盘。。。，这种光刻出来的掩模，已经是纳米级别的，与传统光刻的掩模是不一样的。

 

光学所的光刻机之所以走这个直接“光刻”的路子，就是因为光源做不出来，镜像系统做不到ASML那样的水平，所以才想到用激光直接光刻，绕过深紫外线和镜像系统，直接刻成纳米大小的电路图。两种方法，最后都要用“化学刻”的方式完成芯片成品。

 

从实际效果看，光学所的光刻机与ASML的光刻机，其实工艺，最后的成品不会有任何差别。唯一的差别是，光学所用激光头，直接”刻“出纳米电路图，而ASML的光刻机，则是先制作掩模电路图，然后通过镜像系统，把掩模电路图压缩成纳米级别的电路。 两者最后的都需要”化学“光刻，也就是注入铜，抹平，根据电路图，再上述上述的过程N次。